Az új memóriamodulon összesen 144 darab DDR4-es chip kapott helyet, melyeket 36 egyenként 4 GB-os DRAM tokozásba rendeztek. Mindegyik DRAM chip belsejében található négy darab, 20 nanométer alapú 8 GB-es chip, amelyek TSV technológiával kapcsolódnak össze. A 128 GB-os TSV DDR4 RDIMM-je egy csökkentett energiafogyasztású megoldás az újgenerációs szerverek számára, amelyek akár a 2400 Mbps adatátviteli sebességet is elérhetik.

A Samsung célja, hogy megszilárdítsa vezető szerepét a prémium memória-megoldások piacán, ezért igazodva a nagykapacitású DRAM-ok iránti fokozott kereslethez felgyorsították a TSV technológiájú DRAM chipek előállítását.

A Samsung ígéretei szerint a növekvő vállalati igényekre reagálva hamarosan piacra dobnak 2667 és 3200 Mbps-os adatátviteli sebességet is lehetővé tevő változatokat.

Forrás és fotó: engadget.com
Írta: Szokolai József